timer

Дорогие клиенты!

г. Ашхабад ул. А. Ниязова №44 (11 мкр.)
+993-61-53-20-99
Оператор
+993-61-53-20-99
Магазин
+993-12-28-04-01
Сервисный центр
+993-12-28-10-24
Умный поиск
Расширенный поиск по названию и категориям. Работает на 3-х языках
Каталог товаров
Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]
Полное описание
БрендSamsung
Модель990 EVO Plus
НазначениеДля ноутбуков, Для настольных ПК, Для портативных игровых консолей
Все характеристики
В наличии
Model-Name: SSDSA1T00EVOPLS
4 058 m
Итого:4 058 m
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы0

Высокоскоростной внутренний твердотельный накопитель без выделенной DRAM-памяти (DRAM-less), использующий технологию HMB (Host Memory Buffer). Разработан на базе контроллера Samsung Piccolo (5-нм) и передовой 236-слойной флеш-памяти V-NAND TLC (8-го поколения). Модель получила обновленный контроллер с никелевым покрытием и оптимизированную терморегуляцию, что позволило повысить энергоэффективность на 73% по сравнению с базовой версией 990 EVO. Фирменная технология интеллектуальной записи Intelligent TurboWrite 2.0 с увеличенной pSLC-областью гарантирует стабильно высокую производительность при обработке емких файлов, редактировании видео и гейминге.

БрендSamsung
Модель990 EVO Plus
НазначениеДля ноутбуков, Для настольных ПК, Для портативных игровых консолей
Объем накопителя1 ТБ
Тип накопителяSSD
Форм-факторM.2 2280
Протокол передачи данныхNVMe
Интерфейс подключенияPCIe Gen 4.0 x4
Скорость чтения данныхДо 7250 МБ/с
Скорость записи данныхДо 6300 МБ/с
ОсобенностиДвухрежимный интерфейс PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2: Накопитель обладает уникальной гибридной совместимостью. Он может работать как в стандартном режиме PCIe 4.0 x4, так и задействовать две линии новейшего стандарта PCIe 5.0 x2. Это снижает нагрузку на линии процессора без потери пропускной способности.
Инновационная 236-слойная память V-NAND TLC: Использование 8-го поколения фирменной трехмерной памяти позволило существенно повысить плотность записи данных, улучшить стабильность ячеек и снизить задержки при поиске информации.
Высокая энергоэффективность: Модернизированный 5-нанометровый контроллер Piccolo обеспечивает прирост энергоэффективности на 73% на ватт производительности по сравнению с предшественником (990 EVO), снижая нагрев материнской платы и экономя заряд аккумулятора в портативных устройствах.
Технология Intelligent TurboWrite 2.0: Динамический SLC-кэш оптимизирован для обработки тяжелых файлов. При заполнении накопителя pSLC-зона гибко подстраивается, сохраняя пиковую скорость записи до 6300 МБ/с на больших объемах данных.
Архитектура DRAM-less с поддержкой HMB: Накопитель не имеет выделенного чипа оперативной памяти, что удешевляет конструкцию и снижает тепловыделение. Вместо этого технология Host Memory Buffer (HMB) задействует до 64 МБ оперативной памяти самого компьютера для хранения таблицы трансляции адресов, сохраняя высокую скорость доступа.
Срок гарантии12 месяцев

Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW] отзывы

Категории:SSD M.2 NVMeSSD M.2 NVMe

ЕСТЬ ВОПРОСЫ?

Каталог товаров
×