- Главная
- Персональные компьютеры
- Комплектующие для ПК
- Накопители HDD и SSD
- SSD M.2 NVMe
- Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]
Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы0
Высокоскоростной внутренний твердотельный накопитель без выделенной DRAM-памяти (DRAM-less), использующий технологию HMB (Host Memory Buffer). Разработан на базе контроллера Samsung Piccolo (5-нм) и передовой 236-слойной флеш-памяти V-NAND TLC (8-го поколения). Модель получила обновленный контроллер с никелевым покрытием и оптимизированную терморегуляцию, что позволило повысить энергоэффективность на 73% по сравнению с базовой версией 990 EVO. Фирменная технология интеллектуальной записи Intelligent TurboWrite 2.0 с увеличенной pSLC-областью гарантирует стабильно высокую производительность при обработке емких файлов, редактировании видео и гейминге.
| Бренд | Samsung |
| Модель | 990 EVO Plus |
| Назначение | Для ноутбуков, Для настольных ПК, Для портативных игровых консолей |
| Объем накопителя | 1 ТБ |
| Тип накопителя | SSD |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Протокол передачи данных | NVMe |
| Интерфейс подключения | PCIe Gen 4.0 x4 |
| Скорость чтения данных | До 7250 МБ/с |
| Скорость записи данных | До 6300 МБ/с |
| Особенности | Двухрежимный интерфейс PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2: Накопитель обладает уникальной гибридной совместимостью. Он может работать как в стандартном режиме PCIe 4.0 x4, так и задействовать две линии новейшего стандарта PCIe 5.0 x2. Это снижает нагрузку на линии процессора без потери пропускной способности. Инновационная 236-слойная память V-NAND TLC: Использование 8-го поколения фирменной трехмерной памяти позволило существенно повысить плотность записи данных, улучшить стабильность ячеек и снизить задержки при поиске информации. Высокая энергоэффективность: Модернизированный 5-нанометровый контроллер Piccolo обеспечивает прирост энергоэффективности на 73% на ватт производительности по сравнению с предшественником (990 EVO), снижая нагрев материнской платы и экономя заряд аккумулятора в портативных устройствах. Технология Intelligent TurboWrite 2.0: Динамический SLC-кэш оптимизирован для обработки тяжелых файлов. При заполнении накопителя pSLC-зона гибко подстраивается, сохраняя пиковую скорость записи до 6300 МБ/с на больших объемах данных. Архитектура DRAM-less с поддержкой HMB: Накопитель не имеет выделенного чипа оперативной памяти, что удешевляет конструкцию и снижает тепловыделение. Вместо этого технология Host Memory Buffer (HMB) задействует до 64 МБ оперативной памяти самого компьютера для хранения таблицы трансляции адресов, сохраняя высокую скорость доступа. |
| Срок гарантии | 12 месяцев |
Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW] отзывы
Категории:SSD M.2 NVMeSSD M.2 NVMe


US
TM
RU
![Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW] Накопитель SSD Samsung 990 EVO Plus 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD [MZ-V9S1T0BW]](/wa-data/public/shop/products/76/57/25776/images/79200/79200.580.jpg)
